Barrier Metal DPT Material Electrode Material Etch Hard Mask film GST Material Gap Fill Material High-k for Capacitor High-k for Metal Gate Low-k Metallization Metal SiO2 / SiN 반도체 공정 미세화에 최적의 솔루션이 될 수 있는 제품을 공급하고 있습니다. Barrier Metal, Electrode Material, Gap Fill Material, High-k, Low-k, Metallization Metal 등의 반도체 소자 내 핵심 소재와 Wafer Patterning 공정에 사용되는 Etch Hard Mask Film, DPT Material, PRAM GST용 Material 등을 개발하여 공급하고 있습니다. 제품별 적용처 - DRAM
