Barrier Metal DPT Material Electrode Material Etch Hard Mask film GST Material Gap Fill Material High-k for Capacitor High-k for Metal Gate Low-k Metallization Metal SiO2 / SiN 반도체 소자의 미세화에 따라 선폭이 감소하면서 30nm 이하 패턴 구현을 위한 EUV Lithography 장비의 개발이 진행되고 있으나, 아직 양산에 적용하기 어려워 기존 장비를 활용한 DPT(Double Patterning Technology) 공정을 도입하게 되었습니다. DIPAS는 DPT 공정에 필요한 Etch 막으로 PR과 함께 Pattern 구현의 필수소재로 사용되고 있습니다. PRODUCT DIPAS Diisopropylaminosilane 자세히보기 E2S2 Bis(Diethylamino)silane 자세히보기 DIPAS Chemical name, Chemical formula, formula weight (g/mol), Boiling point (℃), Vapor pressure (℃/torr), Phase, Water reactivity Chemical name. Diisopropylaminosilane Chemical formula C6H17NSi formula weight (g/mol) 131.30 Boiling point (℃) 115 Vapor pressure (℃/torr) 55 / 106 Phase Colorless liquid Water reactivity Violently react 닫기 E2S2 Chemical name, Chemical formula, formula weight (g/mol), Boiling point (℃), Vapor pressure (℃/torr), Phase, Water reactivity Chemical name. Bis(Diethylamino)silane Chemical formula C8H22N2Si formula weight (g/mol) 174.40 Boiling point (℃) 188 Vapor pressure (℃/torr) 25 / 0.795 Phase Colorless liquid Water reactivity Violently react 닫기