제품정보

반도체·디스플레이 산업 발전에 핵심 소재인 전자재료를 개발 공급하고 있습니다.

Metallization Metal

반도체 소자의 미세화에 따라 Metal의 증착방법이 PVD(Physical Vapor Deposition)에서 CVD (Chemical Vapor Deposition) 및 ALD(Atomic Layer Deposition)방법으로 전환되면서 재료 또한 변화가 요구되었습니다
※ Metallization Metal Materials의 변화 : W(Resistivity 8.0 μΩ-cm) → Al(2.7 μΩ-cm) → Cu(1.7 μΩ-cm)
※ Metal Deposition 방식의 변화 : PVD → CVD → ALD

PRODUCT

(Cp)Co(CO)2

(cyclopentadienyl)(dicarbonyl)cobalt

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Alpis-3

Aluminum borohydride trimethylamine

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BTBBDMT (= TBDMW)

Bis(t-butylimido)bis(dimethylamido)Tungsten

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CCTBA

(Hexacarbonyl)(t-butylacetylene)dicobalt

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DMAH

Dimethylalane

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DMEAA

Dimethylethylamine:alane

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MABONi [= Ni(dmamb)2]

(1-dimethylamino-2-methyl-2-butoxide)Nickel(II)

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Ni(EtCp)2

Bis(ethylcyclopentadienyl) Nickel

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TMA

Trimethylaluminium

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