제품정보

반도체·디스플레이 산업 발전에 핵심 소재인 전자재료를 개발 공급하고 있습니다.

SiO2 / SiN

Nand Flash memory의 제조 방법이 20nm 이하부터 Floating Gate에서 Charge Trap으로 변경되고 있으며, 1x 이하 Nand Flash memory 제조를 위해서는 CT-3D 구조 도입이 요구되고 있습니다. 이 3차원 적층 구조는 Hole의 Aspect Ratio가 매우 크기때문에 ALD 장비를 활용한 정밀한 두께 컨트롤이 필요합니다. 이에 고품질 Blocking Oxide 또는 Tunneling Oxide(Gate Oxide) 재료로 ALD용 SiO2 및 SiN이 사용되어야 합니다.

PRODUCT

BTBAS

Bis(tert-butylamino)silane

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CSN-2

1,3-Diisopropyl-2,4-dimethylcylcodisilazane

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DIPAS

Diisopropylaminosilane

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DTDH-3H2

Bis(dimethylsilyl)silylamine

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DTDN-1H2

Bis(dimethylsilyl)(dimethylaminodimethylsilyl)amine

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DTDN-1H5

Bis(methylsilyl)(dimethylaminomethylsilyl)amine

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DTDN-2H2

Bis(dimethylaminomethylsilyl)trimethylsilylamine

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DTDN-2H4

Bis(dimethylaminomethylsilyl)methylsilylamine

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DTDN-3H3

Tris(dimethylaminomethylsilyl)amine

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HCDS

Hexachlorodisilane

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NSi-01

Bis(dimethylaminomethylsilyl)amine

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Tri-DMAS

Tris(dimethylamino)Silane

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